Запирающее напряжение - это минимальное обратное напряжение, при котором p-n переход полностью закрывается и прекращает проводить электрический ток. Это важный параметр для полупроводниковых приборов.
Содержание
Определение запирающего напряжения
Запирающее напряжение (VBR) определяется как:
- Пороговое значение обратного напряжения
- Напряжение пробоя p-n перехода
- Максимальное допустимое обратное напряжение для диода
Факторы, влияющие на величину запирающего напряжения
Фактор | Влияние |
Ширина запрещенной зоны | Прямая зависимость |
Концентрация примесей | Обратная зависимость |
Температура | Уменьшение с ростом температуры |
Типичные значения для различных приборов
- Кремниевые диоды: 50-1000 В
- Германиевые диоды: 20-400 В
- Стабилитроны: 2-200 В
- Светодиоды: 3-10 В
Методы измерения
Основные способы определения запирающего напряжения:
- Использование источника регулируемого напряжения
- Применение осциллографа с генератором
- Специализированные тестеры полупроводников
Важность правильного выбора
При проектировании схем необходимо учитывать:
- Запирающее напряжение должно превышать рабочее
- Необходим запас 20-30% от номинала
- При импульсных нагрузках учитывать пиковые значения
Последствия превышения
При подаче напряжения выше запирающего:
- Наступает пробой перехода
- Возникает необратимое повреждение прибора
- Возможен тепловой пробой с разрушением структуры